「iPhone 6 Plus」の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題、Appleは原因とされるフラッシュメモリの使用を中止か

先日より話題になっている「iPhone 6 Plus」の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題について、問題の原因はフラッシュメモリのコントローラーICにあり、最悪の場合リコールもあるかもしれないと報じていたBusinessKoreaが、業界筋の話として、Appleは問題の原因であったTLC(Triple Level Cell)NANDフラッシュメモリの使用を停止する事を決定したようだと報じています。
iphone6ss 問題のコントローラーICはAppleが過去に買収したSSDメーカーのAnobitによって製造されていたようで、TLC NANDフラッシュメモリの64GBモデルの一部と128GBモデルの全てに採用されているそうです。

今後、Appleは「iPhone 6 Plus」の64GBモデルと128GBモデルに、MLC(Multiple Level Cell)NANDフラッシュメモリを採用する予定で、更に年内にリリース予定の「iOS 8.1.1」でTLC NANDフラッシュメモリを搭載した既存の製品を修正するとのこと。

この件については、Apple側が同問題は希な問題であり、BusinessKoreaの報道は事実ではないと述べているとの情報もありましたが、問題が報告されているのも事実で、「iOS 8.1.1」で直れば良いのですが…。

関連エントリ
「iPhone 6 Plus」の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題の報告数は非常に少なく、事実ではない
「iPhone 6 Plus」の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題、フラッシュメモリのコントローラーICが原因か ー 最悪の場合はリコールも?!

この記事が気に入ったら
いいね!しよう

Twitter で

「iPhone 7」「iPhone 7 Plus」の予約はこちら⇩

screativeref-1100l7121 2623622 2645522 bnr_au_200_200