｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題、Appleは原因とされるフラッシュメモリの使用を中止か
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先日より話題になっている｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題について、問題の原因はフラッシュメモリのコントローラーICにあり、最悪の場合リコールもあるかもしれないと報じていたBusinessKoreaが、業界筋の話として、Appleは問題の原因であったTLC（Triple Level Cell）NANDフラッシュメモリの使用を停止する事を決定したようだと報じています。
問題のコントローラーICはAppleが過去に買収したSSDメーカーのAnobitによって製造されていたようで、TLC NANDフラッシュメモリの64GBモデルの一部と128GBモデルの全てに採用されているそうです。
今後、Appleは｢iPhone 6 Plus｣の64GBモデルと128GBモデルに、MLC（Multiple Level Cell）NANDフラッシュメモリを採用する予定で、更に年内にリリース予定の｢iOS 8.1.1｣でTLC NANDフラッシュメモリを搭載した既存の製品を修正するとのこと。
この件については、Apple側が同問題は希な問題であり、BusinessKoreaの報道は事実ではないと述べているとの情報もありましたが、問題が報告されているのも事実で、｢iOS 8.1.1｣で直れば良いのですが…。
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