｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題、フラッシュメモリのコントローラーICが原因か ｰ 最悪の場合はリコールも?!
この記事にはアフィリエイト広告および広告が含まれています。
先日、｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルの一部ユーザーがクラッシュと再起動を繰り返す問題を報告している事をお伝えしましたが、BusinessKoreaが、この件について、同モデルに搭載されているTLC（Triple Level Cell）NANDフラッシュメモリのコントローラーICに問題があるのではないかとの指摘があると報じています。
TLC（Triple Level Cell）は、NAND型フラッシュメモリにおけるデータの記録方式の一つで8値・3ビットのデータを記録する方式となっており、4値2ビット記録のMLC（Multiple Level Cell）や2値1ビット記録のSLC（Single Level Cell）に比べ、データの読み書き速度は劣るものの、コストが安く、2〜3倍多いデータを記録する事が可能です。
ほとんどの｢iPhone｣にはMLC NANDフラッシュメモリが採用されているものの、Appleは原価を抑える為に｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルにTLC NANDフラッシュメモリを採用しており、同NANDフラッシュメモリを採用したSamsungのSSD「840 EVO」などで読み取り性能低下の問題が報告されている事などから、コントローラーICに問題があるのではないかとみられています。
なお、業界では、本当にTLC NANDフラッシュメモリが原因である場合、Appleはリコールを行うかもしれないと予想する人もいるようです。
UPDATE：一部ではアプリ数を減らすと安定するとの情報もあり、もし問題が発生している方は一度アプリ数などを見直してみるのも良いかもしれません。
関連エントリ
